檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "GaN".ekeyword (精準) and cdept.raw="光電工程研究所"
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV （GaN）調變至0.7eV （InN），其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜，所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
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本論文研發氮化鎵表面結構化技術並嘗試應用於提升氮化鎵太 陽能電池光電流。本實驗所使用的商用氮化鎵晶圓原是為做LED元件 設計，主動層較薄。過薄的主動層將使得太陽能電池光吸收率不佳， 因此希望透過散射…
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本論文使用具有超晶格(Super Lattice)結構的電子阻擋層(Electron Blocking Layer, EBL)的商用氮化鎵藍光LED晶圓，利用矽擴散的方式，將最上層的p-GaN反轉成…
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本研究中，利用電漿輔助式分子束磊晶系統在矽基板上成長氮化鎵奈米柱及氮化銦鎵薄膜結構，並將其運用在光電化學產氫的研究上。首先在氮化鎵奈米柱部份，成長不同長度的奈米柱(長度大約在120~720nm、直徑…
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氮化鎵是製作發光二極體最主要的材料之一，而氮化鎵的直接能隙(3.4eV)與氮化銦直接能隙(0.7eV)所混合的三元化合物氮化銦鎵(InGaN)可做為發光二極體以及太陽能電池元件。 由於p型氮化鎵之功…
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近年來氮化鎵材料已成為製作藍光發光二極體的主流且快速的發展。另一方面，自從氮化銦能隙更正後，發現以能隙為紫外光波長的氮化鎵(3.4eV)與紅外光波長的氮化銦(0.7eV)組成的氮化銦鎵，能組合成幾乎…
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GaN-based passive matrix LED has been studied intensively for the last decade due to its potential …
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在發光二極體(Light emitting diode, LED)中，串聯電阻造成額外的能量損耗並產生熱，為降低串聯電阻值，本論文先建立LED元件電路模型，依據電流擴散路徑，分析總串聯電阻分別為何處…